Microchip MOSFET, タイプNチャンネル, 3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92
- RS品番:
- 177-9694
- メーカー型番:
- TP0606N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | ￥125.73 | ￥125,730 |
| 5000 - 9000 | ￥124.469 | ￥124,469 |
| 10000 - 24000 | ￥121.976 | ￥121,976 |
| 25000 - 49000 | ￥119.537 | ￥119,537 |
| 50000 + | ￥117.146 | ￥117,146 |
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- RS品番:
- 177-9694
- メーカー型番:
- TP0606N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- US
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
低しきい値 - 2.0 V (最大)
高入力インピーダンス
低入力静電容量 - 100 pF (標準)
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
低しきい値 - 2.0 V (最大)
高入力インピーダンス
低入力静電容量 - 100 pF (標準)
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
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