Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 300 mA エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92, TN2106N3-G

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梱包形態
RS品番:
177-9850
メーカー型番:
TN2106N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-92

シリーズ

TN2106

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

740mW

動作温度 Max

150°C

長さ

5.08mm

幅

4.06 mm

高さ

5.33mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-38-567

COO（原産国）:
TW
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

二次降伏なし

低駆動電力要件

並列接続が簡単

低CISS及び高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース-ドレインダイオードを内蔵

高入力インピーダンス及び高ゲイン

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