Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 280 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, TN2106K1-G
- RS品番:
- 177-9842
- メーカー型番:
- TN2106K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 120 | ￥96.90 | ￥1,938 |
| 140 - 1380 | ￥92.30 | ￥1,846 |
| 1400 - 1780 | ￥88.65 | ￥1,773 |
| 1800 - 2380 | ￥84.90 | ￥1,698 |
| 2400 + | ￥81.20 | ￥1,624 |
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- RS品番:
- 177-9842
- メーカー型番:
- TN2106K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 280mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TN2106 | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 360mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 280mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TN2106 | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 360mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.02mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.04mm | ||
幅 1.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
この低しきい値エンハンスメントモード(通常オン)トランジスタは、垂直型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
二次降伏なし
低駆動電力要件
並列接続が簡単
低CISS及び高速スイッチング
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び高ゲイン