Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4.1 A, 3 Ω, 78 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
178-0818
メーカー型番:
IRFBE30PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRFBE30

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78nC

動作温度 Max

150°C

幅

4.7mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.41mm

高さ

9.01mm

自動車規格

なし

Vishay IRFBE30シリーズパワーMOSFET、ドレイン‐ソース電圧800 V、連続ドレイン電流4.1 A - IRFBE30PBF


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子システムのスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、3ピンのスルーホールTO-220ABパッケージで提供されるため、熱処理と取り付けの容易さが優先されるサービス可能な電源設計に適しています。

特長:


• 800 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 4.1 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 125 Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 3Ωの最大Rds(on)により、低スイッチング速度での駆動要件を簡素化
• 78nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブのエネルギー需要を低減
• 20Vゲート・ソース・リミットにより、通常の制御電圧下でゲートを保護

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• トラクションエレクトロニクスでの 計装機器
• 高Vdsを必要とするディスクリートリニアレギュレータと併用
• 中電流での産業用モーター制御に使用可能
• スルーホールプロトタイプや修理作業に最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、幅広い環境変動にさらされる用途に対応します。

このコンポーネントは、回路にどのように取り付けられ、接続されますか?


3ピンのスルーホールTO-220ABパッケージを採用し、基板実装や従来のヒートシンクアタッチメントを簡単に実現します。

どのようなゲートドライブに注意すべきですか?


ゲートソースの定格電圧を超えないようにゲートドライブの振幅を最大20V内に保ち、効果的なスイッチングのためにゲート電荷を約78nCに供給するドライブ回路を設計します。

どのような導通方式を採用していますか?


強化モードNチャンネルデバイスで、導通ソースに対して正のゲート電圧を必要とします。

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