- RS品番:
- 178-0862
- メーカー型番:
- IRFI9610GPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価: 購入単位は50個
¥69.24
(税抜)
¥76.16
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
50 - 200 | ¥69.24 | ¥3,462.00 |
250 - 450 | ¥67.54 | ¥3,377.00 |
500 - 1200 | ¥65.88 | ¥3,294.00 |
1250 - 2450 | ¥64.18 | ¥3,209.00 |
2500 + | ¥62.48 | ¥3,124.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 178-0862
- メーカー型番:
- IRFI9610GPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
データシート
その他
詳細情報
PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
Vishay の第 3 世代パワー MOSFET は、高速スイッチングと高耐久性デバイス設計、低オン抵抗、低コストTO-220 FULLPAK により、商業用産業用途での絶縁ハードウェアの追加は不要です。使用されている成形化合物により、タブと外部ヒートシンクの間の絶縁性能が高く、熱抵抗が低くなっています。
ダイナミックdv/dtレート
低熱抵抗
低熱抵抗
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | P |
最大連続ドレイン電流 | 2 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
パッケージタイプ | TO-220FP |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 27 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
トランジスタ素材 | Si |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 9.8mm |
関連ページ
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 2 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
- Infineon MOSFET200 V 17 A 表面実装 パッケージDPAK
- Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 準拠 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- Infineon MOSFET200 V 182 A 表面実装 パッケージTO-247AC
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 960 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン