Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-70-6L

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥173,178.00

(税抜)

¥190,497.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年6月28日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥57.726¥173,178
15000 - 27000¥56.878¥170,634
30000 - 72000¥56.029¥168,087
75000 - 147000¥55.179¥165,537
150000 +¥54.331¥162,993

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
178-3667
メーカー型番:
SiA106DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SC-70-6L

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0185Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.9nC

最大許容損失Pd

19W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

2.2mm

高さ

1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO(原産国):
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qossに合わせて調整済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。