Vishay Siliconix MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 12 A, 0.0185 Ω, 6.9 nC, 6ピン, パッケージ：SC-70-6L
- RS品番:
- 178-3667
- メーカー型番:
- SiA106DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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- RS品番:
- 178-3667
- メーカー型番:
- SiA106DJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SC-70-6L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0185Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 19W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SC-70-6L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0185Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.9nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 19W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.2mm | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低RDS - Qg性能指数(FOM)
最低のRDS - Qossに合わせて調整済み
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