Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-70-6L, SiA106DJ-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3901
メーカー型番:
SiA106DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SC-70-6L

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0185Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

19W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.9nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

長さ

2.2mm

幅

1.35 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qossに合わせて調整済み

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