型番

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 178-3687
メーカー型番:: SiR188DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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6000 - 27000	￥102.908	￥308,724
30000 - 42000	￥101.669	￥305,007
45000 - 57000	￥100.458	￥301,374
60000 +	￥99.276	￥297,828

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RS品番:: 178-3687
メーカー型番:: SiR188DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	65.7W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	29nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.07mm
	長さ	5.99mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 65.7W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.07mm
	長さ 5.99mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: CN

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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