Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR188DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
178-3895
メーカー型番:
SiR188DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

29nC

最大許容損失Pd

65.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.99mm

幅

5 mm

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

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