2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPAK 1212
- RS品番:
- 178-3851P
- メーカー型番:
- SQS966ENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
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|---|---|
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| 1375 - 1725 | ￥107.32 |
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- RS品番:
- 178-3851P
- メーカー型番:
- SQS966ENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 60mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 27.8W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.82V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 27.8W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.1nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.82V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.15mm | ||
高さ 1.07mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
TrenchFET®パワーMOSFET