型番

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, SQM40016EM_GE3

RS品番:: 178-3926
メーカー型番:: SQM40016EM_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, SQM40016EM_GE3

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RS品番:: 178-3926
メーカー型番:: SQM40016EM_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	250A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.001Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	245nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	300W
	動作温度 Max	175°C
	高さ	11.3mm
	規格 / 承認	AEC-Q101
	長さ	10.67mm
	幅	4.83 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 250A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.001Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 245nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 300W
	動作温度 Max 175°C
	高さ 11.3mm
	規格 / 承認 AEC-Q101
	長さ 10.67mm
	幅 4.83 mm
	自動車規格 AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: TW

TrenchFET®パワーMOSFET

低熱抵抗のパッケージ

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, SQM40016EM_GE3

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