onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 178-4239
- メーカー型番:
- FCH125N65S3R0-F155
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 150 - 270 | ¥554.667 | ¥16,640 |
| 300 - 720 | ¥543.80 | ¥16,314 |
| 750 - 1470 | ¥532.967 | ¥15,989 |
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- RS品番:
- 178-4239
- メーカー型番:
- FCH125N65S3R0-F155
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | FCH | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 125mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 46nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 181W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ FCH | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 125mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 181W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 20.82mm | ||
幅 4.82 mm | ||
長さ 15.87mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、SUPERFET III MOSFET Easy driveシリーズを使用すれば、EMIの問題を処理し、設計を簡単に実装できるようになります。
700 V @ TJ = 150 °C
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 439 pF)
超低ゲートチャージ(標準Qg = 46 nC)
静電容量を最適化
標準RDS(on) = 105 mΩ
内部ゲート抵抗: 0.5 Ω
特長:
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
低スイッチング損失
低ピークVds、低Vgs振幅
用途:
コンピューティング
民生機器
産業用
最終製品:
ノートPC / デスクトップPC / ゲーム機
テレコム / サーバー
UPS / ソーラー
LED照明 / バラスト
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