型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 22 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

RS品番:: 178-4249
メーカー型番:: FDMC007N08LCDC
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 22 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
3000 - 3000	￥234.439	￥703,317
6000 - 27000	￥230.991	￥692,973
30000 - 42000	￥227.544	￥682,632
45000 - 57000	￥224.096	￥672,288
60000 +	￥220.649	￥661,947

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RS品番:: 178-4249
メーカー型番:: FDMC007N08LCDC
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	パッケージ型式	PQFN
	シリーズ	FDMC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	31nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	57W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3.4mm
	高さ	0.75mm
	幅	3.4 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	パッケージ型式 PQFN
	シリーズ FDMC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 57W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3.4mm
	高さ 0.75mm
	幅 3.4 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: PH

このNチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を採用した、Fairchild Semiconductorの高度なPowerTrench®プロセスを使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、クラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

シールドゲートMOSFET技術

最大rDS(on) = 6.8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 21 A

最大rDS(on) = 11.1 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 17 A

5 V駆動に対応

他のMOSFETサプライヤよりも50 %低いQrr

スイッチングノイズ / EMIを低減

MSL1の堅牢なパッケージ設計

Dualcool対応パッケージ

プライマリDC−DC MOSFET

DC−DC / AC−DCの同期整流器

モータ駆動

太陽光発電

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 22 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

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