onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDMC8462

この N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench ® プロセスを使用して生産され、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように特別にカスタマイズされています。

最大 rDS （ on ） = 5.8 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 13.5 A
最大 rDS （ on ） = 8.0 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 11.8A
低プロファイル - 電源 33 ：最大 1 mm
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。