- RS品番:
- 178-4255
- メーカー型番:
- NTHL065N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は30個
¥1,143.767
(税抜)
¥1,258.144
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
30 - 120 | ¥1,143.767 | ¥34,313.01 |
150 - 270 | ¥1,120.867 | ¥33,626.01 |
300 - 720 | ¥1,098.467 | ¥32,954.01 |
750 - 1470 | ¥1,076.467 | ¥32,294.01 |
1500 + | ¥1,054.967 | ¥31,649.01 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 178-4255
- メーカー型番:
- NTHL065N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700V@TJ=150
Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)
Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on)=54mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar/UPS
700V@TJ=150
Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)
Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on)=54mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar/UPS
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 46 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 65 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 337 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
幅 | 4.82mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 15.87mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
高さ | 20.82mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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