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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	40 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	650 V
	パッケージタイプ	TO-247
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	82 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	5V
	最低ゲートしきい値電圧	3V
	最大パワー消費	313 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±30 V
	幅	4.82mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+150 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs	81 nC @ 10 V
	長さ	15.87mm
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	20.82mm
	順方向ダイオード電圧	1.3V

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 40 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 650 V
	パッケージタイプ TO-247
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 82 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 5V
	最低ゲートしきい値電圧 3V
	最大パワー消費 313 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±30 V
	幅 4.82mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +150 °C
	標準ゲートチャージ @ Vgs 81 nC @ 10 V
	長さ 15.87mm
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 20.82mm
	順方向ダイオード電圧 1.3V

SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。SuperFET II FRFET® MOSFETの最適化されたボディーダイオード逆回復性能は、追加の部品の必要をなくし、システムの信頼性を向上させます。

700 V @ TJ = 150 °C
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 81 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 722 pF)
低スイッチング損失
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 70 mΩ
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 40 A, スルーホール, 3 ピン, NTHL082N65S3F