- RS品番:
- 178-4258
- メーカー型番:
- NTPF082N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は50個
¥660.00
(税抜)
¥726.00
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
50 - 200 | ¥660.00 | ¥33,000.00 |
250 - 450 | ¥646.82 | ¥32,341.00 |
500 - 1200 | ¥633.88 | ¥31,694.00 |
1250 - 2450 | ¥621.20 | ¥31,060.00 |
2500 + | ¥608.78 | ¥30,439.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 178-4258
- メーカー型番:
- NTPF082N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 40 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-220 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 82 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 48 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 10.63mm |
幅 | 4.9mm |
動作温度 Min | -55 °C |
順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
高さ | 16.12mm |
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