onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 214-8910
- メーカー型番:
- NTP082N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 214-8910
- メーカー型番:
- NTP082N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | NTP | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 82mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 313W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 81nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 10.53mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ NTP | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 82mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 313W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 81nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 10.53mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor MOSFET は、電荷バランス技術を採用している新しい高電圧スーパージャンクション MOSFET ファミリで、卓越した低オン抵抗と低いゲート電荷性能を実現しています。この Advanced Technology は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられるようになっています。
鉛フリー
RoHS対応
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