onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, FDD86250-F085

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梱包形態
RS品番:
178-4442
メーカー型番:
FDD86250-F085
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

FDD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

順方向電圧 Vf

1.25V

最大許容損失Pd

160W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.39mm

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
PH
NチャンネルシールドゲートPowerTrench® MOSFET、150 V、50 A、22 mΩ

標準RDS(ON) = 19.4 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 20 A

標準Qg(tot) = 28 nC @ VGS =10 V、ID =40 A

UISの機能

用途:

車載用エンジン制御

パワートレイン管理

ソレノイド及びモータードライバ

分散電源アーキテクチャ及びVRM

12 Vシステム用のプライマリスイッチ

最終製品:

内蔵スタータ / オルタネータ

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