onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, FDD86250-F085
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- onsemi
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- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | FDD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大許容損失Pd | 160W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.25V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ FDD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
最大許容損失Pd 160W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.25V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
NチャンネルシールドゲートPowerTrench® MOSFET、150 V、50 A、22 mΩ
標準RDS(ON) = 19.4 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 20 A
標準Qg(tot) = 28 nC @ VGS =10 V、ID =40 A
UISの機能
用途:
車載用エンジン制御
パワートレイン管理
ソレノイド及びモータードライバ
分散電源アーキテクチャ及びVRM
12 Vシステム用のプライマリスイッチ
最終製品:
内蔵スタータ / オルタネータ
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