Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 180 A, 1.5 mΩ, 208 nC, 7ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 178-7445
- メーカー型番:
- IPB010N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7445
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- IPB010N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 208nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 4.57mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.31mm | |
| 高さ | 9.45mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 208nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 4.57mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.31mm | ||
高さ 9.45mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズ MOSFET、ドレイン・ソース間電圧 60V、連続ドレイン電流 180A - IPB010N06NATMA1
このMOSFETは、表面実装用途での電力スイッチング向けに設計された大電流対応のNチャネル・エンハンスメント型デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、低い導通損失と堅牢なゲート制御が求められる過酷な電気環境に適しています。
特長：
• ドレイン・ソース間電圧定格60Vにより中電圧スイッチング用途に対応
• 1.5mΩのオン抵抗により、大電流経路の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 180A により、高電流要求に対応
• 300Wの最大許容電力損失により、継続的な熱負荷に対応
• ゲート総電荷量208nC で、スイッチング動作の予測が容易
• 最大ゲート-ソース電圧20Vでゲート駆動制限を保護
• 1.5mΩのオン抵抗により、大電流経路の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 180A により、高電流要求に対応
• 300Wの最大許容電力損失により、継続的な熱負荷に対応
• ゲート総電荷量208nC で、スイッチング動作の予測が容易
• 最大ゲート-ソース電圧20Vでゲート駆動制限を保護
用途
• 電力システムの高電流DC-DCコンバータに最適
• サーバーおよび通信配電モジュールに最適
• 低オン抵抗スイッチング素子を必要とするモーターコントローラに使用
• バッテリ管理および電力コンディショニングに使用可能
• 産業用電子機器における汎用パワーステージ向け
• サーバーおよび通信配電モジュールに最適
• 低オン抵抗スイッチング素子を必要とするモーターコントローラに使用
• バッテリ管理および電力コンディショニングに使用可能
• 産業用電子機器における汎用パワーステージ向け
このデバイスは動作中、どの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～175°Cで動作するため、極低温から高温環境下まで対応可能です。
基板にどのように取り付けるように設計されていますか？
このコンポーネントは、表面実装およびはんだ付け向けに設計されたTO-263パッケージで提供されます。
ゲート駆動に関する注意すべき点は何ですか？
ゲート・ソース間電圧（Vgs）は、20Vを超えてはなりません。また、スイッチング速度および損失の目標値を満たすようドライバを選定する際は、ゲート総電荷量208 nCを考慮する必要があります。
ボディダイオードの導通時には、どのような順方向電圧が関係してきますか？
順方向電圧は約1.2 Vであり、逆通電時の損失計算に含める必要があります。
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