Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON
- RS品番:
- 178-7485
- メーカー型番:
- BSC028N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7485
- メーカー型番:
- BSC028N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.35 mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.35 mm | ||
長さ 6.1mm | ||
規格 / 承認 Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
Infineon OptiMOS™ 5シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流137A、最大許容損失100W - BSC028N06NSATMA1
このハイパワーMOSFETは、効率と信頼性が不可欠なアプリケーションに適しています。最大連続ドレイン電流137A、耐圧60Vのこの製品は、電力管理システムに適しており、オートメーションやエレクトロニクスの専門家にとって優れた選択肢となる。その強化されたゲートしきい値電圧範囲は、正確なスイッチング性能を促進し、様々な環境での効果的な動作を保証します。
特徴と利点
• 最大消費電力100Wのハイパワーアプリケーションに対応
• 4.2mΩの低RDS(on)で効率を改善
• 性能向上のためのNチャンネル構成
• 効果的な熱管理のためのTDSONパッケージ
• 最低動作温度-55℃、過酷な条件に最適
• アバランシェ定格:過渡的な条件下での耐久性
用途
• 電源用同期整流回路に使用
• 電気自動車や産業オートメーションに最適
• 効果的なエネルギー変換を実現するスイッチモード電源に応用
• 信頼性の高い電源バックアップソリューションとしてUPSシステムに使用
• 再生可能エネルギーシステムのDC-DCコンバータおよびインバータに最適
運転に適した温度範囲は?
55℃~+150℃の温度範囲で効果的に動作し、多様な環境条件に対応する。
このコンポーネントはどのように熱管理を行うのですか?
デバイスのTDSONパッケージは熱抵抗を最適化し、動作中の効率的な熱放散を保証する。
最適な性能を得るために必要なゲート電圧は?
最大ゲート・ソース間電圧は±20Vで、ゲートしきい値電圧は2.1Vから3.3Vの範囲にあり、効果的な駆動条件を容易に実現する。
高周波スイッチング・アプリケーションに使用できますか?
そう、高周波スイッチングをサポートするダイナミック特性で設計されており、最新の電子設計に適している。
電気的な過度なストレスに対して、どのような安全策がとられているのか?
産業用アプリケーション向けに検証され、完全にアバランシェ・テストされているため、電気需要の過渡サージに対する保証を提供します。
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