Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC039N06NSATMA1

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梱包形態
RS品番:
906-4292
メーカー型番:
BSC039N06NSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

最大許容損失Pd

69W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

長さ

6.1mm

幅

5.35 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™5パワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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