Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 100 A, 5.9 mΩ, 27 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 906-4292
- メーカー型番:
- BSC039N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 906-4292
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- BSC039N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.35mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.35mm | ||
長さ 6.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧60V、最大連続ドレイン電流100A - BSC039N06NSATMA1
このMOSFETは、高電流の電力用途向けに設計されたコンパクトなNチャンネルスイッチングデバイスで、幅広い温度範囲で安定した動作を実現します。表面‑実装アセンブリ向けに設計されており、要求の厳しい電子システム向けに効率的な導通とスイッチング性能を発揮します。
特長：
• 5.9mΩの極めて低いオン抵抗により、導通損失を低減
• 100Aの高い連続ドレイン電流により、大負荷に対応
• 60Vのドレイン-ソース間定格電圧により、十分な電圧マージンを確保
• 27 nCの低ゲート電荷により、高速スイッチングとゲート駆動エネルギーの低減を実現
• 69Wの最大許容電力損失により、継続的な熱負荷に対応
• 100Aの高い連続ドレイン電流により、大負荷に対応
• 60Vのドレイン-ソース間定格電圧により、十分な電圧マージンを確保
• 27 nCの低ゲート電荷により、高速スイッチングとゲート駆動エネルギーの低減を実現
• 69Wの最大許容電力損失により、継続的な熱負荷に対応
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 大電流を必要とするモーター‑ドライブ段に最適
• 通信機器のDC-DCコンバーターで使用
• サーバーおよびデータセンターの電力分配モジュールに使用可能
• 産業用スイッチングおよび電源‑管理アセンブリに最適
• 大電流を必要とするモーター‑ドライブ段に最適
• 通信機器のDC-DCコンバーターで使用
• サーバーおよびデータセンターの電力分配モジュールに使用可能
• 産業用スイッチングおよび電源‑管理アセンブリに最適
デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか？
-55°C～150°Cで動作するように規定されており、過酷な熱環境での使用が可能です。
基板アセンブリ向けには、どのパッケージと実装方式が求められますか？
このデバイスは、表面‑実装およびはんだリフロープロセス向けに設計された8‑ピンTDSONパッケージで提供されます。
チャンネルモードとは何ですか、またスイッチングにどのような影響を与えますか？
導通には正のゲート‑ソース間電圧による駆動を必要とするエンハンスメント‑モードN‑チャンネル構成を採用し、一般的なロー‑サイドおよびハイ‑サイドのスイッチングトポロジに対応しています。
設計時に守る必要があるゲート‑駆動電圧の制限値はどのくらいですか？
最大許容ゲート‐ソース間電圧は20 Vで、損傷を避けるために設計はゲート出口をこのしきい値内に保つ必要があります。
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