Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 25 A, 60 mΩ, 22 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
178-7486
メーカー型番:
BSC600N25NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.1mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

5.35mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

インフィニオン OptiMOS 3シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧250V、連続ドレイン電流25A - BSC600N25NS3GATMA1


このMOSFETは、表面‑実装用途での電力スイッチング向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い熱範囲で動作し、堅牢なドレイン‐ソース間電圧処理と中程度の連続電流を必要とする回路に適しています。このデバイスは、8‑ピンTDSONパッケージで提供され、基板‑へのコンパクトな統合を実現します。

特長:


• 250Vのドレイン電圧により、高‑電圧スイッチング用途に対応
• 連続電流 25A により、大きな負荷電流に対応
• 60mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• ゲート総電荷量22nCにより、応答性の高いスイッチング性能を実現
• 最大許容電力 125W により、高い熱負荷に対応

用途


• 電源基板上の高‑電圧DC-DCコンバーターに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• 25Aの電流容量を必要とするモーター‑ドライブ段で使用
• 限られた基板スペースのスイッチング‑電源に使用可能
• 極端な温度環境にさらされる産業用スイッチング回路に最適

設計時にはどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲート‑ソース間電圧は20Vを超えてはならず、ゲート‑絶縁膜へのストレスを防止してデバイスの信頼性を確保する必要があります。

チャネルタイプは回路構成の選択にどのような影響を与えますか?


Nチャンネル‑エンハンスメントモードデバイスとして、通常はスイッチのロー‑サイドに配置されるか、効率向上のために同期トポロジで使用されます。

動作時にどのような温度環境に耐えられますか?


このコンポーネントは-55°C~150°Cで動作し、周囲環境が変化する広い‑温度範囲の設備で使用できます。

パッケージの実装において、どのような考慮事項が推奨されますか?


TDSON表面‑実装パッケージには、熱放散と機械的安定性を確保するために、適切なプリント基板のサーマルパッドとはんだ付けプロファイルが必要です。

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