Vishay N, Pチャンネル MOSFET20 V 4 A 表面実装 パッケージ1206 ChipFET 8 ピン

Vishay の表面実装デュアルチャンネル（ P チャンネルと N チャンネルの両方） MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V 、ドレインソース抵抗が 36 mhm で、ゲートソース電圧が 4.5 V の新しい製品です。最大定格電力は 3.1 W です。 MOSFET の連続ドレイン電流は 4 A です。ポータブルデバイスの負荷スイッチに使用されています。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。

• ハロゲンフリー
•鉛（ Pb ）フリー
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• TrenchFET パワー MOSFET

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
• Rg テスト済み

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