Vishay MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, デュアル, 20 V, 4 A, 0.156, 7.5 nC, 8ピン, パッケージ：TSOP

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
RS品番:
180-7304
メーカー型番:
SI5515CDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.156

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.1W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

No

幅

1.65mm

長さ

3.05mm

高さ

1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装デュアルチャンネル（ P チャンネルと N チャンネルの両方） MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V 、ドレインソース抵抗が 36 mhm で、ゲートソース電圧が 4.5 V の新しい製品です。最大定格電力は 3.1 W です。 MOSFET の連続ドレイン電流は 4 A です。ポータブルデバイスの負荷スイッチに使用されています。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。