2 Vishay MOSFET デュアル, タイプN, タイプPチャンネル, 3.9 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI3585CDV-T1-GE3 パッケージTSOP

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梱包形態
RS品番:
180-7911
メーカー型番:
SI3585CDV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

TSOP

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

1.4W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.2nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

長さ

3.05mm

幅

1.65 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装デュアルチャンネル（ P チャンネルと N チャンネルの両方） MOSFET は、ドレインソース電圧が 20 V の新しい時代の製品です。MOSFET のドレインソース抵抗は、 4.5 V のゲートソース電圧で 58 mhm です。継続的なドレイン電流は 3.9 A 及び 2.1 A です。最大定格電力は 1.4 W 及び 1.3 W です。 スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


• DC/DC コンバータ

•ドライバ : モータ、ソレノイド、リレー

•ポータブルデバイス用のロードスイッチ

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

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