Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
RS品番:
180-7398
メーカー型番:
SQ2318AES-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

36mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.7nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

3.04mm

高さ

1.12mm

幅

2.64 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装NチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が40V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は31mΩである。最大消費電力は3W、連続ドレイン電流は8Aである。このMOSFETの最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。携帯機器のロードスイッチに応用されている。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～175°C

• トレンチFETパワーMOSFET

認定資格


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

• UISテスト済み

関連ページ