Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 47 A 650 V, SIHG47N65E-GE3 パッケージTO-247AC

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梱包形態
RS品番:
180-7734
メーカー型番:
SIHG47N65E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

47A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-247AC

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.072Ω

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

273nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

417W

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay の表面実装 N チャンネル TO-247AC-3 MOSFET は、ドレインソース電圧 650 V 、最大ゲートソース電圧 30 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 72 mmohms になります。最大消費電力は 417W で、連続ドレイン電流は 47A です。駆動電圧は 10 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•低性能指数( FOM ): Ron x Qg

•低入力静電容量( CISS )

•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C

•スイッチング損失と導電損失の低減

•超低ゲート電荷( Qg )

用途


•バッテリ充電器

•蛍光灯バラスト照明

•高輝度放電 (HID)

• モータドライブ

•力率補正電源( PFC )

• 再生可能エネルギー

•サーバー / 通信用の電源

•太陽光発電 PV インバータ

•スイッチモード電源( SMPS )

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• UIS テスト済み

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