Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 22 A, 0.158 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247AC

RS品番:: 268-8299
メーカー型番:: SIHG150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 22 A, 0.158 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247AC

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RS品番:: 268-8299
メーカー型番:: SIHG150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	SIHG
	パッケージ型式	TO-247AC
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.158Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	179W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	15.7mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ SIHG
	パッケージ型式 TO-247AC
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 179W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 15.7mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHGシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流22A - SIHG150N60E-GE3

このMOSFETは、要求の厳しい電子機器の電源スイッチング用に設計された高電圧エンハンスメントモードNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢な取り付けとサービス対応アセンブリに適したスルーホールパッケージで提供されます。RoHS準拠により、制限物質要件が適用される場合の使用をサポートします。

特長：

• 650 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングを実現
• 22 Aの連続電流により、大幅な負荷処理をサポート
• 0.158 Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 36 nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを最適化
• 179Wの最大消費電力により、高出力デューティを実現
• 30Vのゲート許容差により、一般的なドライバ電圧に対応

用途

• 産業用高電圧コンバータおよびインバータに最適
• 制御システムのモータードライブステージに最適
• 強制空冷電源およびレギュレータと併用
• UPSおよびエネルギーストレージスイッチングシステムに使用可能
• スルーホールプロトタイピングおよび修理可能アセンブリに最適

ボードを設計する際に、どのようなパッケージタイプを許容する必要がありますか?

TO-247ACスルーホールパッケージで提供され、互換性のある取り付けフットプリントと熱負荷を管理するためのヒートシンクを備えています。

温度は連続動作制限にどのように影響しますか?

このデバイスは、-55°C～150°Cで動作する定格であるため、信頼性を維持するために、高いジャンクション温度で熱管理とディレーティング戦略を適用する必要があります。

効率的なスイッチングにはどのようなゲートドライブが推奨されますか?

標準ゲート充電は36 nC、最大Vgsは30 Vで、ゲート電圧制限を超えずに必要な充電を迅速に供給できるドライバを選択してください。

同期スイッチング時にはどのようなダイオードの動作が期待されますか?

本質的な順方向エレメントは、約1.2Vの順方向電圧を示し、逆回復イベント中にボディダイオードが導通するときの導通損失に影響を与えます。