Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 22 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG150N60E-GE3
- RS品番:
- 268-8299
- メーカー型番:
- SIHG150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 4 | ￥775.00 | ￥1,550 |
| 6 - 10 | ￥760.50 | ￥1,521 |
| 12 - 14 | ￥745.50 | ￥1,491 |
| 16 - 18 | ￥731.00 | ￥1,462 |
| 20 + | ￥717.00 | ￥1,434 |
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- RS品番:
- 268-8299
- メーカー型番:
- SIHG150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 22A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| シリーズ | SIHG | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 15.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 22A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
シリーズ SIHG | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 15.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay EシリーズパワーMOSFETは、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチモード電源、サーバー電源、力率補正電源などの用途に使用されます。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い