Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2392ADS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7811
メーカー型番:
SI2392ADS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

189mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.9nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

1.6W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

2.64 mm

高さ

1.12mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 N チャンネル MOSFET は、ゲートソース電圧が 10 V のときに 126 mhm のドレインソース抵抗を備える新しい製品です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。連続ドレイン電流は 3.1 A 、最大消費電力は 2.5 W です。 スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•ブーストコンバータ

• DC/DC コンバータ

• LCD TV の LED バックライト

•負荷スイッチ

•モバイルコンピューティングの電力管理

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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