Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 3.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2307CDS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7738
メーカー型番:
SI2307CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

138mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.1nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.14W

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

2.64 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装デュアル P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 30 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 88 mhm です。連続ドレイン電流は 3.5 A 、最大定格電力は 1.8 W です。 このトランジスタの最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。ポータブルデバイスの負荷スイッチに使用されています。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

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