Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTSOP, SI3421DV-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7895
メーカー型番:
SI3421DV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

19.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

2.98 mm

高さ

1.1mm

長さ

3.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 30 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 19.2 mhm です。最大消費電力は 4.2 W で、連続ドレイン電流は 8 A です。このトランジスタの最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•アダプタスイッチ

• DC/DC コンバータ

•モバイルコンピューティング / コンシューマ向け

•負荷スイッチ

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

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