Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTSOP, SI3477DV-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
812-3160
メーカー型番:
SI3477DV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

最大許容損失Pd

4.2W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1mm

長さ

3.1mm

幅

1.7 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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