1 Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル, 1.4 A 800 V, IRFIBE20GPBF パッケージTO-220FP

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RS品番:
180-8329
メーカー型番:
IRFIBE20GPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-220FP

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

最大許容損失Pd

30W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Vishay IRFIBE20Gは、ドレイン・ソース間電圧(Vds)が800V、ゲート・ソース間電圧(VGS)が20VのNチャンネル・パワーMOSFETです。TO-220フルパックパッケージです。ドレイン・ソース間抵抗(RDS)は10VGSで6.5Ωである。

Vishay IRFIBE20Gは、ドレイン・ソース間電圧(Vds)が800V、ゲート・ソース間電圧(VGS)が20VのNチャンネル・パワーMOSFETです。TO-220フルパックパッケージです。ドレイン・ソース間抵抗(RDS)は10VGSで6.5Ωである。

絶縁パッケージ

高電圧絶縁 = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)

シンクからリードまでの沿面距離 = 4.8 mm

絶縁パッケージ

高電圧絶縁 = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)

シンクからリードまでの沿面距離 = 4.8 mm

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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