Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, シングル, 400 V, 1.8 A, 7 Ω, 13 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 180-8772
- メーカー型番:
- IRFR9310PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8772
- メーカー型番:
- IRFR9310PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面, スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7Ω | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS-compliant | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面, スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7Ω | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 9.65mm | ||
規格 / 承認 RoHS-compliant | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay MOSFET、ドレインソース電圧400 V、消費電力50 W - IRFR9310PBF
このMOSFETは、パワーエレクトロニクス回路の高電圧スイッチング用に設計されたPチャンネルトランジスタです。TO-252パッケージで提供され、表面実装またはスルーホール組立に適しており、高電圧用途にP型デバイスが必要なコンパクトなソリューションを提供します。このデバイスは幅広い温度範囲で動作し、RoHS環境基準に適合しています。
特長：
• 400 Vのドレインソース間電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 低電流設計での導通損失を制限する最大Rds 7Ω
• 13nC標準ゲート充電で高速ゲートドライブトランジションを実現
• 1.8Aの連続ドレイン電流により、適度な電流要件に対応
• パワーステージでの熱ヘッドルームの最大消費電力: 50W
• -55～150°Cの動作範囲により、高温での使用に対応
• 低電流設計での導通損失を制限する最大Rds 7Ω
• 13nC標準ゲート充電で高速ゲートドライブトランジションを実現
• 1.8Aの連続ドレイン電流により、適度な電流要件に対応
• パワーステージでの熱ヘッドルームの最大消費電力: 50W
• -55～150°Cの動作範囲により、高温での使用に対応
用途
• 高電圧極性保護回路に最適
• 電源のPチャンネルハイサイドスイッチングに最適
• 低ゲート充電デバイスを必要とするゲートドライバーと併用
• 産業用制御電子機器の熱動作に使用可能
• 表面実装コンポーネントとスルーホールコンポーネントを組み合わせた混合アセンブリボードに最適
• 電源のPチャンネルハイサイドスイッチングに最適
• 低ゲート充電デバイスを必要とするゲートドライバーと併用
• 産業用制御電子機器の熱動作に使用可能
• 表面実装コンポーネントとスルーホールコンポーネントを組み合わせた混合アセンブリボードに最適
プリント基板への取り付けには、どのような取り付けオプションがありますか?
このデバイスは、表面実装とスルーホール実装の両方に対応し、さまざまな基板組立実践に対応します。
このデバイスは、高い周囲温度下でどのように性能を発揮しますか?
最大150°Cで動作する定格により、適切な熱管理を実施すると、高い熱ストレスにさらされる設計で使用できます。
設計時に考慮すべきゲートドライブ電圧制限は何ですか?
最大ゲート-ソース間電圧は±20 Vであるため、ゲートドライブ回路はこの範囲内のスイングを制限する必要があります。
このデバイスは、1つのチップに複数のエレメントで構成されていますか?
チップあたり1つのトランジスタエレメントを備えているため、パラレル配置での電流共有の考慮事項を簡素化します。
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