1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 14 A, 表面 100 V, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 180-8828
- メーカー型番:
- IRF530SPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計:*
¥708.00
(税抜)
¥778.80
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 260 は海外在庫あり(最終在庫)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ¥141.60 | ¥708 |
| 10 + | ¥139.20 | ¥696 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 180-8828
- メーカー型番:
- IRF530SPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.16Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 2.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 88W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 幅 | 10.67 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.16Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 2.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 88W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
長さ 9.65mm | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
幅 10.67 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay
Vishay MOSFET は、 N チャンネルの TO-263-3 パッケージに収められた新しいエージング製品で、ドレインソース電圧が 100 V 、最大ゲートソース電圧が 20 V です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 160 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 88 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•テープとリールで提供されています
•ダイナミック dV/dt 定格
•並列化が容易
•高速スイッチング
• ハロゲンフリー
•鉛( Pb )フリーコンポーネント
•動作温度範囲: -55 ° C ~ 175 ° C
•繰り返しアバランシェ定格
• TrenchFET パワー MOSFET
用途
•バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
スイッチングモード電源( SMPS )
