Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 200 V, 5.2 A, 0.8 Ω, 14 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 180-8843
- Distrelec 品番:
- 304-30-843
- メーカー型番:
- IRF620SPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8843
- Distrelec 品番:
- 304-30-843
- メーカー型番:
- IRF620SPBF
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- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | IRF620S | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.8Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ IRF620S | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.8Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay IRF620SシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧200 V、最大消費電力50 W - IRF620SPBF
このパワーMOSFETは、高電圧スイッチングおよび電源用途向けに設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。TO-263パッケージで提供され、コンパクトな基板レベルソリューションのためのシングルトランジスタ構成を備えています。このコンポーネントは、産業用および電子電源設計において、制御されたスイッチングと耐熱性が求められる場合に適しています。
特長：
• 200Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 5.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 50 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 0.8 Ωのドレインソース抵抗により、導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 14nC により、スイッチング効率を向上
• -55°C～150°Cの幅広い温度範囲で動作
• 5.2 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 50 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 0.8 Ωのドレインソース抵抗により、導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 14nC により、スイッチング効率を向上
• -55°C～150°Cの幅広い温度範囲で動作
用途
• 基板上の200Vスイッチング電源に最適
• 制御回路のモータードライブゲートスイッチングに最適
• 電力変換設計におけるPWMコントローラーとの併用
• 汎用高電圧スイッチング作業に使用可能
• 基板実装型パワーステージアセンブリに使用
• 制御回路のモータードライブゲートスイッチングに最適
• 電力変換設計におけるPWMコントローラーとの併用
• 汎用高電圧スイッチング作業に使用可能
• 基板実装型パワーステージアセンブリに使用
基板にはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
適切なはんだパッドと熱伝達用サーマルランドを必要とするTO-263パッケージで提供される表面実装デバイスです。
設計者はどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソース定格は最大20 Vに制限され、駆動中や過渡時にはこれを超えないよう設計する必要があります。
ダイにはどれくらいのトランジスタ素子がありますか?
このコンポーネントには、チップあたり1つのエレメントが含まれており、パラレル / シリアル配置を簡素化します。
このデバイスには、環境基準や材料基準がありますか?
RoHS 2002/95/ECに準拠し、IEC 61249-2-21の製造に関する材料ガイドラインに準拠しています。
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