1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 5.2 A, 表面 200 V パッケージTO-263

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RS品番:
180-8843
メーカー型番:
IRF620SPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.8Ω

最大許容損失Pd

50W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

1チップ当たりのエレメント数

1

Distrelec Product Id

304-30-843

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Vishay IRF620S は、ドレイン - ソース間( Vds )電圧 200 V の N チャンネルパワー MOSFET です。ゲート - ソース電圧( VGS )は 20 V です。D2PAK ( TO-263 )パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗( RDS )を提供します。 0.8 Ω @ 10VGS最大ドレイン電流: 5.2 A

Vishay IRF620S は、ドレイン - ソース間( Vds )電圧 200 V の N チャンネルパワー MOSFET です。ゲート - ソース電圧( VGS )は 20 V です。D2PAK ( TO-263 )パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗( RDS )を提供します。 0.8 Ω @ 10VGS最大ドレイン電流: 5.2 A

表面実装

テープ及びリールで提供

動的 dv/dt 定格

表面実装

テープ及びリールで提供

動的 dv/dt 定格

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