onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 124 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
RS品番:
181-1857
メーカー型番:
FDMS86181
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

124A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

FDMS86181

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.05mm

規格 / 承認

No

5 mm

長さ

5.85mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
PH
このNチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を採用した、高度なPowerTrench®プロセスを使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

シールドゲートMOSFET技術

最大rDS(on) = 4.2 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 44 A

最大rDS(on) = 12 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 22 A

ADD

他のMOSFETサプライヤよりも50 %低いQrr

スイッチングノイズ / EMIを低減

この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

関連ページ