onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 222 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, FDPF2D3N10C

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,203.00

(税抜)

￥2,423.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 172 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48￥1,101.50￥2,203
50 - 478￥964.00￥1,928
480 - 638￥825.50￥1,651
640 - 798￥688.50￥1,377
800 +￥551.00￥1,102

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
181-1911
メーカー型番:
FDPF2D3N10C
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

222A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

FDPF

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

45W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

108nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

16.07mm

幅

4.9 mm

長さ

10.36mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
このNチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を採用した、ON Semiconductorの高度なPowerTrench®プロセスを使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

最大RDS(on) = 2.3 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 222 A

出力密度及びシールドゲート

超低RDS(on)向けの高性能トレンチ技術

シールドゲート技術による高出力密度

超低逆回復電荷量、Qrr

低Vdsスパイク内部スナバー機能

低ゲート電荷量、QG = 108 cC(標準)

低スイッチング損失

高出力及び高電流処理能力

低Qrr / Trr

ソフトリカバリの性能

ATX / サーバー / ワークステーション / テレコムPSU / アダプタ / 産業用電源の同期整流

モータードライブ及び無停電電源

マイクロソーラーインバータ

サーバー

通信

コンピューティング(ATX、ワークステーション、アダプタ、産業用電源など)

モータ駆動

無停電電源

関連ページ