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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	222A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	FDPF
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	108nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	45W
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	幅	4.9 mm
	高さ	16.07mm
	長さ	10.36mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 222A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ FDPF
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 108nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 45W
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	幅 4.9 mm
	高さ 16.07mm
	長さ 10.36mm
	自動車規格なし

Datasheet

COO（原産国）:: CN

このNチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を採用した、ON Semiconductorの高度なPowerTrench®プロセスを使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

最大RDS(on) = 2.3 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 222 A

出力密度及びシールドゲート

超低RDS(on)向けの高性能トレンチ技術

シールドゲート技術による高出力密度

超低逆回復電荷量、Qrr

低Vdsスパイク内部スナバー機能

低ゲート電荷量、QG = 108 cC(標準)

低スイッチング損失

高出力及び高電流処理能力

低Qrr / Trr

ソフトリカバリの性能

ATX / サーバー / ワークステーション / テレコムPSU / アダプタ / 産業用電源の同期整流

モータードライブ及び無停電電源

マイクロソーラーインバータ

サーバー

通信

コンピューティング(ATX、ワークステーション、アダプタ、産業用電源など)

モータ駆動

無停電電源

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 222 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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