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	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 52mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.6nC
	最大許容損失Pd 1.6W
	順方向電圧 Vf -7V
	トランジスタ構成シングル
	動作温度 Max -55°C
	長さ 4.95mm
	規格 / 承認 J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	高さ 1.5mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

デュアルPチャンネルMOSFET

低オン抵抗

低ゲートしきい値電圧

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク

完全に鉛フリー

ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン」デバイスです。

用途

バックライト

パワー管理機能

DC-DCコンバータ

1 DiodesZetex パワーMOSFET シングル, タイプPチャンネル, 6.5 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージSO-8

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