2 DiodesZetex パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 33.2 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerDI5060
- RS品番:
- 182-6944
- メーカー型番:
- DMTH6016LPD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥66.214 | ¥165,535 |
| 5000 - 22500 | ¥66.007 | ¥165,018 |
| 25000 - 35000 | ¥65.801 | ¥164,503 |
| 37500 - 47500 | ¥65.594 | ¥163,985 |
| 50000 + | ¥65.387 | ¥163,468 |
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- RS品番:
- 182-6944
- メーカー型番:
- DMTH6016LPD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerDI5060 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 28mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 175°C | |
| 最大許容損失Pd | 37.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 幅 | 4.95 mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| 長さ | 5.85mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 33.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerDI5060 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 175°C | ||
最大許容損失Pd 37.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.4nC | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
幅 4.95 mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
長さ 5.85mm | ||
高さ 1.05mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
このMOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
定格+175 °C - 高周囲温度に最適
環境
高変換効率
低入力静電容量
高速スイッチング速度
完全に鉛フリー
ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン」デバイスです。
エンジン管理システム
ボディ制御電子機器
DC-DCコンバータ
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