型番

DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060, DMP34M4SPS-13

RS品番:: 182-7376
メーカー型番:: DMP34M4SPS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060, DMP34M4SPS-13

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RS品番:: 182-7376
メーカー型番:: DMP34M4SPS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	PowerDI5060
	シリーズ	DMP
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	127nC
	最大許容損失Pd	3W
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6mm
	高さ	1.05mm
	幅	5.1 mm
	自動車規格	AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 PowerDI5060
	シリーズ DMP
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 127nC
	最大許容損失Pd 3W
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	順方向電圧 Vf -1.2V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6mm
	高さ 1.05mm
	幅 5.1 mm
	自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO（原産国）:: CN

この新世代MOSFETは、RDS(ON)を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。このデバイスは、ノートブックのバッテリーパワー管理及び負荷スイッチでの使用に最適です。

生産での100 %クランプ解除誘導型スイッチ(UIS)テスト

熱効率の高いパッケージ – クーラーが動作する用途

高変換効率

低RDS(ON) - オン状態の損失を最小化

<1.1 mmパッケージプロファイル - 薄型用途に最適

鉛フリー仕上げ

ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン(低環境負荷)」デバイス

用途

スイッチ

DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060, DMP34M4SPS-13

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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