型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 915 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-89

RS品番:: 184-1063
メーカー型番:: NTE4153NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 915 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-89

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15000 - 27000	￥11.269	￥33,807
30000 - 72000	￥10.67	￥32,010
75000 - 147000	￥10.38	￥31,140
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RS品番:: 184-1063
メーカー型番:: NTE4153NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	915mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SC-89
	シリーズ	NTE
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	950mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	6 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	1.82nC
	最大許容損失Pd	300mW
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.8mm
	長さ	1.7mm
	幅	0.95 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 915mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SC-89
	シリーズ NTE
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 950mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 6 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.82nC
	最大許容損失Pd 300mW
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.8mm
	長さ 1.7mm
	幅 0.95 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet NTE4153NT1G

20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω 、シングル N チャンネル SC-89 、 ESD 保護機能付き

低 RDS （ on ）により、システム効率が向上します

低しきい値電圧、 1.5 V 定格

ESD保護ゲート

用途:

負荷 / 電源スイッチ

電源変換回路

バッテリマネージメント

携帯電話、 PDA 、デジタルカメラ、ポケットベルなどの携帯機器