2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 2.9 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージWDFN

RS品番:: 184-4217
メーカー型番:: FDMA2002NZ
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 2.9 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージWDFN

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30000 - 42000	￥43.071	￥129,213
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RS品番:: 184-4217
メーカー型番:: FDMA2002NZ
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	WDFN
	シリーズ	PowerTrench
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	268mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	2.4nC
	最大許容損失Pd	1.5W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.9V
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	規格 / 承認	No
	長さ	2mm
	高さ	0.75mm
	幅	2 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 2.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 WDFN
	シリーズ PowerTrench
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 268mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.4nC
	最大許容損失Pd 1.5W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.9V
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	規格 / 承認 No
	長さ 2mm
	高さ 0.75mm
	幅 2 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Datasheet FDMA2002NZ

COO（原産国）:: TH

このデバイスは、携帯電話やその他のウルトラポータブルアプリケーションのデュアルスイッチング要件に対応するシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。この製品は、 2 つの独立した N チャネル MOSFET を備えており、低オン抵抗で最小の導通損失を実現します。MicroFET 2x2 は、物理サイズで優れた熱性能を発揮し、リニアモードのアプリケーションに最適です。

2.9 A 、 30 V

RDS (ON) = 123m Ω @ VGS = 4.5V

RDS (ON) = 140M Ω @ VGS = 3.0V

RDS (ON) = 163m Ω @ VGS = 2.5V

低プロファイル - 最大 0.8 mm - 新しいパッケージ MicroFET 2 x 2 mm

HBM ESD 保護レベル = 1.8kV ( 注 3)

ハロゲン化合物やアンチモン酸化物が含まれていません

用途

この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています