2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 2.9 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージWDFN

View all MOSFET・モスフェット
Bulk discount available

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

￥134,541.00

(exc. VAT)

￥147,996.00

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
在庫限り
  • 3,000 は海外在庫あり（最終在庫）
Units
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000￥44.847￥134,541
6000 - 27000￥43.954￥131,862
30000 - 42000￥43.071￥129,213
45000 - 57000￥42.216￥126,648
60000 +￥41.371￥124,113

*price indicative

RS Stock No.:
184-4217
Mfr. Part No.:
FDMA2002NZ
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

WDFN

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

268mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.4nC

最大許容損失Pd

1.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

2mm

規格 / 承認

No

幅

2 mm

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO (Country of Origin):
TH
このデバイスは、携帯電話やその他のウルトラポータブルアプリケーションのデュアルスイッチング要件に対応するシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。この製品は、 2 つの独立した N チャネル MOSFET を備えており、低オン抵抗で最小の導通損失を実現します。MicroFET 2x2 は、物理サイズで優れた熱性能を発揮し、リニアモードのアプリケーションに最適です。

2.9 A 、 30 V

RDS (ON) = 123m Ω @ VGS = 4.5V

RDS (ON) = 140M Ω @ VGS = 3.0V

RDS (ON) = 163m Ω @ VGS = 2.5V

低プロファイル - 最大 0.8 mm - 新しいパッケージ MicroFET 2 x 2 mm

HBM ESD 保護レベル = 1.8kV ( 注 3)

ハロゲン化合物やアンチモン酸化物が含まれていません

用途

この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています

Related links