onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.9 A 表面実装 パッケージWDFN 6 ピン

このデバイスは、携帯電話やその他のウルトラポータブルアプリケーションのデュアルスイッチング要件に対応するシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。この製品は、 2 つの独立した N チャネル MOSFET を備えており、低オン抵抗で最小の導通損失を実現します。MicroFET 2x2 は、物理サイズで優れた熱性能を発揮し、リニアモードのアプリケーションに最適です。

2.9 A 、 30 V
RDS (ON) = 123m Ω @ VGS = 4.5V
RDS (ON) = 140M Ω @ VGS = 3.0V
RDS (ON) = 163m Ω @ VGS = 2.5V
低プロファイル - 最大 0.8 mm - 新しいパッケージ MicroFET 2 x 2 mm
HBM ESD 保護レベル = 1.8kV ( 注 3)
ハロゲン化合物やアンチモン酸化物が含まれていません
用途
この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。