onsemi MOSFET, Nチャンネル, デュアル, 30 V, 2.9 A, 268 mΩ, 2.4 nC, 6ピン, パッケージ：WDFN
- RS品番:
- 184-5019
- メーカー型番:
- FDMA2002NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 184-5019
- メーカー型番:
- FDMA2002NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 268mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 高さ | 750μm | |
| 長さ | 2mm | |
| 幅 | 2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 268mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 1.5W | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
高さ 750μm | ||
長さ 2mm | ||
幅 2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TH
このデバイスは、携帯電話やその他のウルトラポータブルアプリケーションのデュアルスイッチング要件に対応するシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。この製品は、 2 つの独立した N チャネル MOSFET を備えており、低オン抵抗で最小の導通損失を実現します。MicroFET 2x2 は、物理サイズで優れた熱性能を発揮し、リニアモードのアプリケーションに最適です。
2.9 A 、 30 V
RDS (ON) = 123m Ω @ VGS = 4.5V
RDS (ON) = 140M Ω @ VGS = 3.0V
RDS (ON) = 163m Ω @ VGS = 2.5V
低プロファイル - 最大 0.8 mm - 新しいパッケージ MicroFET 2 x 2 mm
HBM ESD 保護レベル = 1.8kV ( 注 3)
ハロゲン化合物やアンチモン酸化物が含まれていません
用途
この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています
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