onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 67 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1500個入り) 小計:*

¥110,484.00

(税抜)

¥121,533.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,500 は海外在庫あり(最終在庫)
単価
購入単位毎合計*
1500 - 6000¥73.656¥110,484
7500 - 13500¥72.175¥108,263
15000 - 36000¥70.732¥106,098
37500 - 73500¥69.325¥103,988
75000 +¥67.937¥101,906

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
185-8153
メーカー型番:
NVMFS5H663NLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

67A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NVMFS5H663NL

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

63W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

5.1mm

高さ

1.05mm

6.1 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

未対応

COO(原産国):
MY
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

PPAP対応

鉛フリー

関連ページ