onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C680NLT1G

RS品番:: 178-4419
メーカー型番:: NVMFS5C680NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C680NLT1G

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onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

RS品番: 178-4306

購入単位は1500 個

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(税抜)

￥72.636

(税込)

RS品番:: 178-4419
メーカー型番:: NVMFS5C680NLT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	DFN
	シリーズ	NVMFS5C680NL
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	27.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.8nC
	最大許容損失Pd	24W
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.05mm
	幅	6.1 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5.1mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 DFN
	シリーズ NVMFS5C680NL
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 27.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.8nC
	最大許容損失Pd 24W
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.05mm
	幅 6.1 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5.1mm
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。

特長

低RDS(on)

低QG及び低ゲート静電容量

業界標準の5 x 6 mmパッケージ

クラス最高のFOM (RD (ON) x QG)

NVMFS5C680NLWF - ウェッタブルフランク製品

PPAP対応

利点

導電損失を最小限に抑制

スイッチング損失を最小限に抑制

ダイレクトドロップインのための小型設計と標準フットプリント

効率性の向上、電力消費の低減

光学検査を強化

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

ソレノイドドライバ - ABS、燃料噴射

モータ制御 - EPS、ワイパー、ファン、シートなど

負荷スイッチ - ECU、シャーシ、ボディ

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NVMFS5C680NLT1G

代替品 / 類似品

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