onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 433 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN
- RS品番:
- 185-8159
- メーカー型番:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 185-8159
- メーカー型番:
- NVMTS0D7N04CLTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 433A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 630μΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 99nC | |
| 最大許容損失Pd | 205W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 高さ | 1.15mm | |
| 幅 | 8 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 433A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 630μΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 99nC | ||
最大許容損失Pd 205W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 8.1mm | ||
高さ 1.15mm | ||
幅 8 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
未対応
- COO(原産国):
- PH
8 x 8 mm フラットリードパッケージに収められたオートモーティブパワー MOSFET は、高性能を含むコンパクトで効率的な設計を実現するように設計されています。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。
省スペース (8 x 8 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
ウェッタブルフランクオプション
PPAP対応
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
光学検査を強化
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
モーターコントロール - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど
負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ
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