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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	420 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	40 V
	パッケージタイプ	DFNW8
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	670 μ Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2V
	最大パワー消費	205 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs	140 nC @ 10 V
	幅	8mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+175 °C
	長さ	8.1mm
	自動車規格	AEC-Q101
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	1.15mm
	順方向ダイオード電圧	1.2V

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 420 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
	パッケージタイプ DFNW8
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 670 μ Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2V
	最大パワー消費 205 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 140 nC @ 10 V
	幅 8mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +175 °C
	長さ 8.1mm
	自動車規格 AEC-Q101
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.15mm
	順方向ダイオード電圧 1.2V

未対応

COO（原産国）:: PH

8 x 8 mm フラットリードパッケージに収められたオートモーティブパワー MOSFET は、高性能を含むコンパクトで効率的な設計を実現するように設計されています。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース (8 x 8 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
ウェッタブルフランクオプション
PPAP対応
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
光学検査を強化
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
最終製品
モーターコントロール - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど
負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 420 A, 表面実装, 8 ピン, NVMTS0D7N04CTXG

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