onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 553.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NVMTS0D4N04CLTXG

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梱包形態
RS品番:
186-1334
メーカー型番:
NVMTS0D4N04CLTXG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

553.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

NVMTS0D4N04CL

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

640μΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

244W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

163nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

8 mm

高さ

1.15mm

長さ

8.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

未対応

8 x 8 mm フラットリードパッケージに収められたオートモーティブパワー MOSFET は、高性能を含むコンパクトで効率的な設計を実現するように設計されています。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース (8 x 8 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

ウェッタブルフランクオプション

PPAP対応

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

光学検査を強化

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

モーターコントロール - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど

負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ

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