onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 553.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NVMTS0D4N04CLTXG

RS品番:: 186-1334
メーカー型番:: NVMTS0D4N04CLTXG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 553.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NVMTS0D4N04CLTXG

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60 - 598	￥1,549.50	￥3,099
600 - 1198	￥1,351.00	￥2,702
1200 - 2398	￥1,152.00	￥2,304
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RS品番:: 186-1334
メーカー型番:: NVMTS0D4N04CLTXG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	553.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	NVMTS0D4N04CL
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	640μΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	163nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	244W
	動作温度 Max	175°C
	幅	8 mm
	長さ	8.1mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.15mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 553.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ NVMTS0D4N04CL
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 640μΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 163nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 244W
	動作温度 Max 175°C
	幅 8 mm
	長さ 8.1mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.15mm
	自動車規格 AEC-Q101

未対応

8 x 8 mm フラットリードパッケージに収められたオートモーティブパワー MOSFET は、高性能を含むコンパクトで効率的な設計を実現するように設計されています。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース (8 x 8 mm)

低RDS(on)

低QG、低静電容量

ウェッタブルフランクオプション

PPAP対応

小型設計

導電損失を最小限に抑制

ドライバ損失を最小限に抑制

光学検査を強化

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

最終製品

モーターコントロール - EPS 、ワイパー、ファン、シートなど

負荷スイッチ - ECU 、シャーシ、ボディ